Intrinsisches Fermi-Niveau

Das intrinsische Fermi-Niveau W i {\displaystyle W_{\mathrm {i} }} ist das Fermi-Niveau eines intrinsischen (keine Störstellen enthaltenden, undotierten) Halbleiters.

Es ergibt sich durch Gleichsetzen der Elektronen- und der Löcherdichte im thermodynamischen Gleichgewicht:

N c e W c W i k B T = N v e W i W v k B T {\displaystyle N_{\mathrm {c} }\cdot e^{-{\frac {W_{\mathrm {c} }-W_{\mathrm {i} }}{k_{\mathrm {B} }T}}}=N_{\mathrm {v} }\cdot e^{-{\frac {W_{\mathrm {i} }-W_{\mathrm {v} }}{k_{\mathrm {B} }T}}}}

und anschließendes Umstellen nach der Fermi-Energie W F {\displaystyle W_{\mathrm {F} }} :

W i = W c + W v 2 + 1 2 k B T ln ( N v N c ) = W F {\displaystyle \Leftrightarrow W_{\mathrm {i} }={\frac {W_{\mathrm {c} }+W_{\mathrm {v} }}{2}}+{\frac {1}{2}}\cdot k_{\mathrm {B} }T\cdot \ln \left({\frac {N_{\mathrm {v} }}{N_{\mathrm {c} }}}\right)=W_{\mathrm {F} }}

mit

  • N c {\displaystyle N_{\mathrm {c} }} : effektive Zustandsdichte im Leitungsband
  • N v {\displaystyle N_{\mathrm {v} }} : effektive Zustandsdichte im Valenzband
  • W c {\displaystyle W_{\mathrm {c} }} : Energie der Leitungsbandkante im Bändermodell
  • W v {\displaystyle W_{\mathrm {v} }} : Energie der Valenzbandkante im Bändermodell
  • k B {\displaystyle k_{\mathrm {B} }} : Boltzmannkonstante
  • T {\displaystyle T} : Temperatur in der Kelvinskala.

Beim dotierten Halbleiter weicht das Fermi-Niveau vom intrinsischen Fermi-Niveau ab.

Das intrinsische Fermi-Niveau liegt immer ungefähr in der Mitte der Bandlücke. Für den Fall der Eigenleitung ist diese Abweichung so gering, dass näherungsweise gesagt werden kann:

W i W c + W v 2 . {\displaystyle W_{\mathrm {i} }\approx {\frac {W_{\mathrm {c} }+W_{\mathrm {v} }}{2}}\,.}

Literatur

  • J. Smoliner: Grundlagen der Halbleiterphysik. Springer-Verlag, 2018, ISBN 978-3-662-56629-9 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).