Arséniure d'aluminium
Pour les articles homonymes, voir Alas (homonymie).
Arséniure d'aluminium | |
__ Al3+ __ As3- | |
Identification | |
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No CAS | 22831-42-1 |
No ECHA | 100.041.126 |
PubChem | 89859 |
Apparence | solide cristallisé orange |
Propriétés chimiques | |
Formule | AlAs [Isomères] |
Masse molaire[1] | 101,903 14 ± 2,0E−5 g/mol Al 26,48 %, As 73,52 %, |
Propriétés physiques | |
T° fusion | 1 740 °C |
Masse volumique | 3,72 g·cm-3 |
Propriétés électroniques | |
Bande interdite | 2,12 eV |
Mobilité électronique | 200 cm2·/(V*s) (300 K) |
Précautions | |
SGH | |
Danger H301 : Toxique en cas d'ingestion H331 : Toxique par inhalation H410 : Très toxique pour les organismes aquatiques, entraîne des effets à long terme P261 : Éviter de respirer les poussières/fumées/gaz/brouillards/vapeurs/aérosols. P273 : Éviter le rejet dans l’environnement. P301 : En cas d'ingestion : P310 : Appeler immédiatement un CENTRE ANTIPOISON ou un médecin. P311 : Appeler un CENTRE ANTIPOISON ou un médecin. P501 : Éliminer le contenu/récipient dans … | |
Directive 67/548/EEC[2] | |
T N Symboles : T : Toxique N : Dangereux pour l’environnement Phrases R : R23/25 : Toxique par inhalation et par ingestion. R50/53 : Très toxique pour les organismes aquatiques, peut entraîner des effets néfastes à long terme pour l’environnement aquatique. Phrases S : S28 : Après contact avec la peau, se laver immédiatement et abondamment avec … (produits appropriés à indiquer par le fabricant). S45 : En cas d’accident ou de malaise, consulter immédiatement un médecin (si possible, lui montrer l’étiquette). S60 : Éliminer le produit et son récipient comme un déchet dangereux. S61 : Éviter le rejet dans l’environnement. Consulter les instructions spéciales/la fiche de données de sécurité. S20/21 : Ne pas manger, ne pas boire et ne pas fumer pendant l’utilisation. Phrases R : 23/25, 50/53, Phrases S : 20/21, 28, 45, 60, 61, | |
Composés apparentés | |
Autres cations | Arséniure de bore Arséniure de gallium Arséniure d'indium |
Autres anions | Nitrure d'aluminium Phosphure d'aluminium Antimoniure d'aluminium |
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
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L’arséniure d'aluminium (AlAs) est un composé chimique d'aluminium et d'arsenic. C'est un matériau semi-conducteur avec presque la même constante de réseau que GaAs et AlGaAs et une bande interdite plus large que GaAs[3].
Propriété
Il possède les propriétés suivantes[4] :
- Coefficient de dilatation thermique : 5 µm/(°C*m)
- Température Debye : 417 K
- Microdureté : 5,0 GPa (charge de 50 g)
- Nombre d'atomes dans 1 cm3 : (4.42-0.17x)·1022[5]
- Module d'élasticité isostatique : 7.55+0.26x)·1011 dyn cm−2[5]
- Dureté sur l'échelle de Mohs : ~5[5]
- Insolubilité dans l'eau[5]
Synthèse
La préparation de l'arséniure d'aluminium a fait l'objet de peu de travaux, principalement en raison des difficultés pratiques que cela implique. La préparation à partir de la masse fondue est difficile en raison du point de fusion élevé du composé (environ 1 700 °C) et de l'extrême réactivité de l'aluminium à cette température. Quelques chercheurs ont préparé de petits cristaux à partir de la masse fondue, et des lingots polycristallins ont également été produits. Le meilleur de ce matériau a une densité de porteurs d'impuretés de l'ordre de 1019/cm3 et est de type p[6].
Notes et références
- (en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Aluminium arsenide » (voir la liste des auteurs).
- ↑ Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
- ↑ SIGMA-ALDRICH
- ↑ Guo, L. "Structural, Energetic, and Electronic Properties of Hydrogenated Aluminum Arsenide Clusters". Journal of Nanoparticle Research. Vol. 13 Issue 5 p. 2029-2039. 2011.
- ↑ Berger, L. I., Semiconductor Materials, CRC Press, (ISBN 978-0-8493-8912-2, lire en ligne ), 125
- ↑ a b c et d Dierks, S., « Aluminum Arsenide - Material Safety Data »(Archive.org • Wikiwix • Archive.is • Google • Que faire ?), The Fitzgerald Group, MIT, (consulté le ).
- ↑ Willardson, R., and Goering, H. (eds.), Compound Semiconductors, p. 1, 184 (Reinhold Pub. Corp., New York, 1962).
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